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晶圓位錯缺陷檢測，MICRO LED晶圓級綜合檢測系統(tǒng)明場/PL檢測類型：明場缺陷分析、電極缺陷分析、PL缺陷分析。

鈣鈦礦組件效率優(yōu)化方案：鈣鈦礦疊層電池表征，鈣鈦礦太陽能電池綜合性檢測分析系統(tǒng)檢測時(shí)間＜10 min（10cm*10cm） 空間分辨率20 μm/100μm。

熒光壽命成像,晶圓位錯缺陷檢測,SiC晶圓質(zhì)量成像檢測系統(tǒng)：晶圓襯底質(zhì)量（載流子壽命）高速成像，快速篩查外延片晶格質(zhì)量。

碳化硅襯底檢測,碳化硅成像檢測,碳化硅襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)：最高檢測速度：＜17min/片（6“）；BPD、TSD、TED分類識別。