碳化硅成像檢測(cè)技術(shù)的核心在于通過(guò)不同物理原理的成像手段，揭示材料微觀結(jié)構(gòu)、缺陷分布及性能特征，主要包含以下三類技術(shù)：
 

　　光學(xué)成像技術(shù)
 

　　光致發(fā)光(PL)映射/成像：利用激光激發(fā)碳化硅中的缺陷或摻雜區(qū)域，通過(guò)檢測(cè)光致發(fā)光信號(hào)的強(qiáng)度與波長(zhǎng)分布，定位堆垛層錯(cuò)、位錯(cuò)等擴(kuò)展缺陷。例如，4H-SiC中的堆垛層錯(cuò)會(huì)形成特殊的PL光譜帶，空間分辨率可達(dá)1微米，適用于晶圓級(jí)快速篩查。
 

　　激光散射技術(shù)：通過(guò)分析激光在碳化硅表面散射的強(qiáng)度與角度分布，檢測(cè)亞微米級(jí)表面凹凸，如螺紋位錯(cuò)(TSD)引起的微小凹陷，彌補(bǔ)光學(xué)顯微鏡的分辨率局限。
 

　　電子顯微成像技術(shù)
 

　　場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)：利用場(chǎng)發(fā)射電子源產(chǎn)生高能電子束，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)分辨率成像。可觀察碳化硅晶粒尺寸、晶界性質(zhì)、高溫相變行為及電流通過(guò)時(shí)的微觀變化，為材料失效分析提供依據(jù)。
 

　　聚焦離子束(FIB)-SEM聯(lián)用技術(shù)：結(jié)合FIB的微納加工能力與SEM的高分辨率成像，實(shí)現(xiàn)碳化硅材料的三維結(jié)構(gòu)重構(gòu)，揭示缺陷的立體分布特征。
 

　　X射線成像技術(shù)
 

　　X射線計(jì)算機(jī)斷層掃描(xCT)：通過(guò)X射線穿透高溫密閉環(huán)境下的碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝，記錄不同角度的二維投影圖像，并重建三維結(jié)構(gòu)。該技術(shù)可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)物理氣相傳輸(PVT)法生長(zhǎng)過(guò)程中源材料的升華、重結(jié)晶及晶體生長(zhǎng)界面的動(dòng)態(tài)變化，結(jié)合數(shù)值模擬優(yōu)化熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，減少晶體缺陷。
 

　　碳化硅成像檢測(cè)技術(shù)通過(guò)提供高精度、多維度的材料信息，在以下關(guān)鍵環(huán)節(jié)發(fā)揮不可替代的作用：
 

　　晶體質(zhì)量評(píng)估：檢測(cè)晶型(如4H-SiC/6H-SiC)、位錯(cuò)密度(TSD/BPD)、微管缺陷分布等核心指標(biāo)，確保晶圓質(zhì)量符合設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。
 

　　表面特性分析：測(cè)量表面粗糙度(Ra/Rq)、劃痕深度及金屬污染濃度，評(píng)估材料加工質(zhì)量。
 

　　電學(xué)性能預(yù)測(cè)：通過(guò)缺陷分布與電學(xué)參數(shù)的關(guān)聯(lián)分析，預(yù)測(cè)材料在實(shí)際應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。
 

　　工藝優(yōu)化與失效分析：在晶體生長(zhǎng)、外延沉積、器件封裝等環(huán)節(jié)，成像檢測(cè)技術(shù)可實(shí)時(shí)反饋工藝參數(shù)對(duì)材料結(jié)構(gòu)的影響，加速迭代優(yōu)化。